Los planes de la filial de Samsung especializada en la fabricación de semiconductores son muy ambiciosos. Tanto como los de Intel y TSMC a medio plazo. Puede, incluso, que aún más. En 2025 prevé introducir la fabricación a gran escala utilizando su tecnología GAA (Gate-All-Around) de 2 nm, y en 2027 aspira a iniciar la producción de circuitos integrados GAA de 1,4 nm. Suena bien, pero a priori no parece un itinerario tan ambicioso como los que tienen entre manos sus dos principales competidores.
Y es que Intel y TSMC planean iniciar la fabricación de semiconductores GAA de 2 nm en 2024 y 2025 respectivamente. Sin embargo, hay algo muy importante que merece la pena que no pasemos por alto: Samsung inició la producción de chips GAA en su nodo de 3 nm de primera generación en junio del año pasado. Por el momento es el único fabricante de circuitos integrados que está produciendo chips GAA sobre la tecnología MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET), lo que a priori le da una ventaja sobre sus competidores que a medio plazo puede ser crucial.
Samsung ya tiene ventaja en el despliegue de la tecnología de transistores GAA
Antes de seguir adelante merece la pena que indaguemos brevemente en la tecnología GAA MBCFET sobre la que esta compañía surcoreana está estructurando su estrategia de semiconductores para los próximos años. El propósito de esta innovación es aventajar a la tecnología FinFET en un parámetro crucial: el rendimiento por vatio. Los circuitos integrados con transistores FinFET empezaron a fabricarse a gran escala a principios de la década pasada, por lo que es una tecnología madura que TSMC, Intel y Samsung conocen muy bien y no van a abandonar fácilmente. Aun así, en el futuro los transistores GAA reinarán.
Samsung incrementará el número de 'nanosheets' de tres a cuatro cuando inicie la fabricación de chips en su nodo de 1,4 nm
Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET sobre su nodo de 3 nm de segunda generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm, un rendimiento un 30% más alto y un área un 35% más comedida. Suena bien. No obstante, hay algo más. Algo que también es importante. Y es que Jeong Gi-Tae, vicepresidente de la filial de Samsung que se dedica a la fabricación de circuitos integrados, ha asegurado hace apenas unos días que su propósito es incrementar el número de nanosheets (podemos traducirlo en español como nanoplacas o nanohojas) de tres a cuatro cuando inicie la fabricación de chips en su nodo de 1,4 nm.
La estructura de los transistores GAA MBCFET es diferente a la de los transistores GAA convencionales (la explicamos con detalle en el artículo que les dedicamos el año pasado), lo que, según Samsung, incrementa la corriente que fluye a través del transistor y requiere un menor voltaje de operación. En la práctica lo que persigue esta empresa es tener los mejores transistores de la industria en 2027, que será, como hemos visto, el año en el que esta innovación llegará a su nodo de 1,4 nm. Es evidente que Intel y TSMC no se van a quedar impasibles mientras tanto, por lo que con toda probabilidad durante los próximos tres años la competencia entre los tres fabricantes de chips más importantes va a ser feroz.
La declaración de intenciones de Jeong Gi-Tae llega apenas dos semanas después de que Kye Hyun Kyung, el director general de la división de semiconductores de Samsung, anunciase oficialmente que van a adoptar su litografía de 2 nm lo antes posible en vez de ampliar el alcance de sus nodos de 3 nm. Será interesante comprobar cómo lidian por el camino con la eficiencia de su tecnología y la minimización de los núcleos de cada oblea que son inservibles. Hagan lo que hagan los fabricantes de chips de algo podemos estar seguros: a los usuarios nos interesa que compitan entre ellos de una forma agresiva porque la tecnología se desarrollará con más rapidez, mejorarán las prestaciones de los chips y su precio será más bajo.
Imagen de portada: Samsung
Más información: DigiTimes Asia
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