En los últimos años hemos vivido una época más o menos tranquila. Tras la integración de los transistores 3D - los TriGate de Ivy Bridge - allá por 2011 no ha habido cambios increíbles, más allá de las clásicas evoluciones: de los 22 nanómetros han pasado a los 14 con los recientes Broadwell (Core i3, i5, i7 y Core M), y en el horizonte se ve el siguiente paso: 10 nanómetros, y tras ellos los 7 nanómetros... con un gran pero.
A lo largo de esta semana, dentro de la ISSCC, Intel va a anunciar que necesitarán implementar grandes cambios para alcanzar los 7 nanómetros para mantener la Ley de Moore que tantos años llevan consiguiendo. ¿Qué cambios? El más importante, dicen, es que el silicio dejará de valer como componente de fabricación de microprocesadores y será necesario buscar alternativas a él.
¿Qué alternativas tiene el mercado? Me temo que por ahora sólo los laboratorios podrían responder a esta pregunta, si bien es posible que Intel de alguna pista en su conferencia de la ISSCC (en la que, por cierto, AMD también tendrá cosas que decir). Se especula con el uso de arseniuro de indio y galio (InGaAs):
El arseniuro de indio y galio es un material semiconductor de indio, galio y arsénico, utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación, superior a otros semiconductores más comunes como el silicio o el arseniuro de galio, y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (Wikipedia)
Se avecinan grandes cambios e Intel está inmersa en ellos, y seguramente sus laboratorios estén trabajando a todo trapo para ir avanzando en este campo que se plantea como el futuro de los procesadores de nuestros ordenadores. ¿Silicio? Eso será dentro de poco cosa del pasado.
Vía | ArsTechnica
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