De vez en cuando los grandes fabricantes llevan al mercado algunos estudios elaborados por científicos de todo el mundo. Fue el caso de los Tri-Gate de Intel en Ivy Bridge, y algo parecido ocurre ahora con la 3D V-NAND de Samsung que han anunciado estos días dentro de la Flash Memory Summit 2013 en Santa Clara, California.
Con un único modelo inicialmente lanzado para el mercado profesional, Samsung utiliza una estructura cilíndrica para almacenar las celdas en vez de una bidimensional, plana. Esto permite, según el fabricante coreano, mejorar el rendimiento un 20% y a la vez reducir el consumo energético en un 40%, siendo una actualización transparente de cara al sistema operativo y por supuesto también para los usuarios finales.
Samsung mantiene el formato de 2.5 pulgadas y promete dispositivos de 7 milímetros de altura, siempre con interfaz SATA 6 Gbps. Samsung V-NAND SSD, que es como los denominan oficialmente, estarán disponibles en capacidades de 480 y 960 GB, aunque aún tendremos que esperar unos meses para tenerlos en el mercado ya que, a día de hoy, lo único confirmado es que empezarán a fabricarlos a lo largo de agosto.
Una mejora interesante sobre la que desde Samsung piensan puede ser comparada con un Big Bang digital. Una afirmación posiblemente excesiva, aunque sí es cierto que supone un significativo avance en el mundo del almacenamiento de la información en dispositivos flash.
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