TSMC quiere adelantar el futuro de los transistores

2014 está siendo un año bastante peculiar en lo referente a los procesos de fabricación de los transistores. Se están viviendo importantes problemas en la evolución actual (Intel con Broadwell en los 14 nanómetros; NVidia y AMD en los 20), si bien los fabricantes continúan mirando al futuro y encaminándose hacia él.

Según informa DigiTimes, TSMC está acelerando el desarrollo de transistores de 10 nanómetros como consecuencia del trabajo de uno de sus principales competidores, Samsung, quienes ya tienen muy avanzado el desarrollo de los 14 nanómetros. Según indica el medio chino tienen pensado llevarlos a producción masiva a principios de 2015, con una disponibilidad en SoC a finales de ese mismo año o principios de 2016.

TSMC se mueve en plazos algo más tempranos (producción a finales de 2014; mercado a mediados-finales de 2015) pero su proceso es de 16 nanómetros, técnicamente inferior al de Samsung. Para competir contra estos van a reenfocar su producto actual para que sea más eficiente, y también acelerarán el desarrollo de los 10 nanómetros para tomar mejores posiciones de cara a las guerras de dentro de unos años.

Toda esta información no afectará al comportamiento del mercado en el corto plazo. Los SoC actuales se mueven en los 28 nanómetros (por ejemplo los Snapdragon 805) y la siguiente iteración, los 20 nanómetros de los futuros Snapdragon 810 llegará a lo largo de 2015. El salto a los 16/14 nanómetros que pronto entrarán en producción ni siquiera tiene fecha, si bien teniendo en cuenta los periodos de evolución (típicamente 2-3 años en cada nueva generación de transistores) la mejor previsión sería tenerlos en torno a 2017 o 2018. Con todo esto, lo más probable es que los 10 nanómetros que ahora empieza a investigar TSMC lleguen al mercado alrededor del 2020.

Más información | DigiTimes