La nano-nave interestelar de Stephen Hawking se basará en transistores de auto-sanación gracias a la NASA y el KAIST

En abril de este 2016 Stephen Hawking junto al multimillonario Yuri Milner presentaron Breakthrough Starshot, un proyecto que busca fabricar nano-naves capaces de viajar en misiones de exploración hasta Alfa Centauri. Una idea que en un inicio sonó descabellada, pero que hoy toma nueva relevancia gracias al apoyo de la NASA y del Instituto Coreano de Ciencia y Tecnología (KAIST), quienes se están sumando al ambicioso proyecto.

'StarChip' es el nombre del desarrollo que la NASA y KAIST están presentando para hacer realidad la nano-nave interestelar, el cual consiste en un chip de 20 nanómetros capaz de sobrevivir a la intensa radiación, esto gracias a que está desarrollado a partir de transistores de auto-sanación.

'StarChip', la pieza clave en los viajes interestelares

Si quisiéramos llegar a Alfa Centauri con la tecnología actual necesitaríamos más de 18.000 años. Hawking lo sabe y por ello se ha dedicado a buscar la manera de reducir este tiempo, y a partir de aquí nace la idea de colocar una nano-nave capaz de viajar a una quinta parte de la velocidad de la luz, con lo que sería capaz de hacer este viaje en tan sólo 20 años.

Al desarrollar esta idea, se enfrentaron al problema de que la nave no sería capaz de sobrevivir a la intensa radiación y los cambios de temperatura del espacio profundo, por lo que presentaron tres opciones:

Agregar un escudo de metal para evitar la radiación. Pero este método terminaría con la idea de una nave pequeña y ligera.
Escoger una ruta predefinida por astrónomos para minimizar la exposición a la radiación. Esto incrementaría el tiempo de la misión, además de que no estarían preparados para eventuales problemas.
Diseñar circuitos a prueba de radiación. Esta es la opción que se eligió y en la que se está trabajando actualmente.

La NASA y KAIST han desarrollado este chip donde en lugar de usar el proceso fin field-effect transistor (FinFET), han optado por usar el llamado 'gate-all-around' de transistores de nano-hilo (GAA FET). En este proceso la puerta que rodea al nano-hilo permite o impide el flujo de electrones, lo que a su vez hace que se pueda calentar a más de 900 grados en menos de 10 nanósegundos.

De acuerdo a las pruebas, este calentamiento permite la auto-sanación de diferentes componentes críticos incluidos en este chip, como son el microprocesador, la memoria DRAM y la memoria Flash. En los tres casos, el sistema logró extender la vida útil del dispositivo y sobrevivió a los efectos de diversos tipo e intensidades de radiación, por lo que están convencidos que este método finalmente permitirá fabricar una nano-nave resistente a rayos cósmicos y con componentes muy, muy pequeños y ligeros.

La siguiente actualización del proyecto Breakthrough Starshot se espera para el segundo trimestre de 2017, por lo que se mantiene el plan original de fabricación y lanzamiento programado para el inicio de la siguiente década.