Desde el Departamento de Física de la Universitat Autónoma de Barcelona, en colaboración con científicos de EEUU y Francia, han dado un paso más hacia memorias de tipo MRAM de mayor capacidad, que podrían en un futuro conseguir que el arranque de los ordenadores sea casi instantáneo.
Este tipo de memorias, al contrario que las actuales SRAM y DRAM, son de tipo no volátil, pero fallan en la capacidad, insuficiente de momento.
Los científicos de la UAB han estado investigando sobre ello y han generado por primera vez unos estados magnéticos microscópicos, llamados estados vórtice desplazados, que pueden aumentar la capacidad de los discos duros y de las memorias MRAM.
Para los curiosos:
Los llamados "estados vórtice desplazados", observados por primera vez por los investigadores de la UAB, son pequeños remolinos microscópicos, de unas pocas milésimas de milímetro, que se forman en las minúsculas zonas magnéticas en las que se registran los datos
Esperemos que este avance no tarde tiempo en poder aplicarse a la electrónica de consumo.
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