Samsung, siempre a la última en temas de tecnología, cosa por la cual los admiro, ha presentado la que dicen es la nueva generación de memorias no volátiles, a las que han llamado PRAM, Phase-change Random Access Memory.
De momento este tipo de memoria se encuentra en fase de desarrollo pero la empresa intenta que esté lista la tecnología para 2008. La que han presentado hoy es un prototipo de 512 MB, pero afirman que llegará los 64 GB.
La arquitectura Charge Trap Flash (CTF) le proporciona una velocidad de trabajo mayor, consiguiendo por ejemplo escribir 30 veces más rápido los datos debido a que no es necesario borrar antes los que ya estaban en memoria. Además, tendría una vida útil diez veces mayor de las memorias flash actuales.
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