Allá por 2006 se empezaba a oir algo sobre una tecnología revolucionaria llamada Memoria de Cambio de Fase que estaba, supuestamente, destinada a terminar el largo reinado de 40 años de los chips actuales basados en el silicio.
Hace unos días la compañía Micron ha puesto a la venta los primeros chips de memoria para dispositivos portátiles basados en esta tecnología. Es hora de explicar en qué consiste esta memoria basada en un tipo especial de cristal capaz de ‘cambiar de forma’.
Existen distintos nombres para definir a la memoria de cambio de fase: PRAM o PCRAM (Phase Change RAM), OUM (Ovonic Unified Memory) o CRAM (Calcogenic RAM), pero las siglas más habituales son PCM (Phase Change Memory).
La PCM es un tipo de memoria no volátil. En otras palabras, mantiene la información aunque no le llegue energía, lo que la permite funcionar como dispositivo de almacenamiento similar a los SSD. Con todo, sus primeras aplicaciones están llegando en el campo de la memoria Flash.
Cristales que cambian
La memoria de cambio de fase no se basa en silicio, sino en el uso de un tipo especial de cristal denominado cristal calcógeno que tiene la propiedad de cambiar su estructura de vídrio a un conglomerado amorfo al aplicársele calor.
El cristal para las memorias suele fabricarse con un compuesto de germanio, antimonio y telurio similar en estructura al que podemos encontrar en los discos ópticos. De hecho, los CD o DVD se basan en la misma propiedad ya que el cristal también cambia sus propiedades ópticas al pasar de un estado a otro.
Decimos también porque al cambiar entre un estado y otro, el cristal calcógeno cambia su resistencia electrica. Esta propiedad es precisamente la que se usa para determinar los estados binarios de cero y uno básicos para generar la memoria.
Ventajas sobre el silicio
El uso de este tipo de cristal permite, en teoría, realizar el cambio de estado mucho más rápidamente que las puertas de silicio y, por tanto, superar en miles de veces la velocidad de lectura y sobre todo de escritura de las memorias actuales.
Los primeros modelos presentados por Micron son chips de 45 nanómetros y 512MB con una velocidad de escritura de 400MBps. No es nada revolucionario respecto a la memoria Flash convencional, pero hay que tener en cuenta que el techo de este tipo de memoria es mucho más alto y estamos sólo en su primera generación.
La memoria de cambio de fase también tiene la ventaja de que tarda más tiempo en degradarse. En teoría puede alcanzar los 100 millones de ciclos de escritura. En el lado negativo, su sensibilidad al calor hace que sea más complicada de producir y, por ejemplo, de soldar al resto de componentes. Tampoco se hace referencia a si genera más calor que la memoria convencional o cuál es su consumo de energía.
Aún es pronto para que el cristal le gane el pulso al silicio, pero todo indica que la memoria de cambio de fase abre la puerta a una nueva era tecnológica repleta de interesantes posibilidades.