El mercado de las memorias flash parece de lo más animado últimamente. Ayer hablábamos de esa alianza que Intel y Micron han puesto en marcha para sacar partido de la tecnología 3D NAND, una alternativa a la V-NAND de Samsung que ofrecerá mayor densidad de almacenamiento y que previsiblemente hará posible que próximamente dispongamos de unidades SSD de 10 TB o más.
Ahora es Toshiba la que ha aumentado esa apuesta anunciando una tecnología 3D NAND de 48 capas que permitirá almacenar 16 GB por chip haciendo uso de una tecnología de apilamiento vertical que Toshiba denomina BiCS (Bit Cost Scaling). Este lanzamiento se deriva del proyecto que firmó el año pasado con SanDisk para crear chips 3D NAND con una alta densidad de almacenamiento.
La tecnología de Toshiba almacena dos bits de datos por transistor, lo que hace que estemos hablando de chips flash MLC (Multi-Level Cell). Por su parte la tecnología V-NAND de Samsung almacena 3 bits por transistor (TLC, Triple-Level Cell), lo que le permite, a pesar de ofrecer 32 capas en lugar de las 48 de Toshiba, llegar a almacenar 16 GB por chip. La tecnología de Intel y Micron también ofrece 32 capas, pero es posible encontrarla tanto en variantes TLC (con hasta 32 GB de datos por chip) como MLC (hasta 48 GB de datos por chip).
Parece por lo tanto que la tecnología de Intel y Micron gana de momento la partida a sus competidoras, pero la existencia de estas alternativas no hace más que prometer beneficios a los consumidores. Esa competitividad hará que los precios de producción y de venta de esos futuros dispositivos se reduzca, y hará que el avance en capacidades de almacenamiento y la eficiencia de estas unidades también mejore de forma más rápida.
Vía | ComputerWorld
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