La relación que sostienen AMD y TSMC viene de lejos. Este fabricante de semiconductores taiwanés ha producido las últimas generaciones de productos de esta compañía estadounidense, pero parece estar a punto de producirse un giro no del todo inesperado. Y es que Lisa Su, la directora general de AMD, ha confirmado durante la conferencia que ha pronunciado en Imec ITF World 2024 (Bélgica) que su compañía apostará por la fabricación a gran escala de chips de 3 nm GAA (Gate-All-Around).
Por el momento Samsung es el único fabricante de circuitos integrados que está produciendo chips GAA sobre la tecnología MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Los planes de esta compañía surcoreana son tan ambiciosos como los de TSMC o Intel. En 2025 prevé introducir la fabricación a gran escala de chips utilizando su tecnología GAA de 2 nm, y en 2027 aspira a iniciar la producción de circuitos integrados GAA de 1,4 nm. Samsung inició la producción de chips GAA en su nodo de 3 nm de primera generación en junio del año pasado.
Samsung llega, pero TSMC se queda
Tenemos razones de peso para aceptar que la competitividad de las litografías de 3 nm más avanzadas que tienen TSMC y Samsung en producción ha mejorado mucho durante los últimos meses. Huang Yuanguo, el director de las plantas de TSMC, ha confirmado que durante 2024 su capacidad de producción de circuitos integrados de 3 nm se triplicará, lo que ayudará a esta compañía a dar una respuesta más sólida a sus clientes. Además, su segunda generación de la tecnología de integración de 3 nm, conocida como N3E, refina la litografía N3B lo necesario para que su rendimiento por oblea sea perceptiblemente más alto.
Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET sobre su nodo de 3 nm de 2ª generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm
Presumiblemente los ingenieros de Samsung también han conseguido refinar sus procesos vinculados a su litografía de 3 nm e incrementar su rendimiento por oblea. De hecho, es probable que tanto TSMC como Samsung se muevan ya en la órbita de un rendimiento por oblea superior al 80%. Si además tenemos presente que TSMC está intentando resolver el cuello de botella que ha generado su tecnología de empaquetado COWOS como resultado del espectacular incremento de la demanda de los chips para inteligencia artificial, parece razonable asumir que a AMD le interesa diversificar sus proveedores de semiconductores.
En cualquier caso, la relación de AMD y Samsung no es reciente. Esta última compañía fabrica desde hace muchos años las GPU de AMD para smartphones, y también chips de memoria HBM. Lo que ahora mismo no está claro es qué productos de AMD producirá TSMC en el futuro, y de cuáles se encargará Samsung. Probablemente no tardaremos en descubrirlo. En cualquier caso, antes de dar por concluido este artículo merece la pena que indaguemos brevemente en la tecnología GAA MBCFET sobre la que esta compañía surcoreana está estructurando su estrategia de semiconductores para los próximos años.
El propósito de esta innovación es aventajar a la tecnología FinFET en un parámetro crucial: el rendimiento por vatio. Los circuitos integrados con transistores FinFET empezaron a fabricarse a gran escala a principios de la década pasada, por lo que es una tecnología madura que TSMC, Intel y Samsung conocen muy bien y no van a abandonar fácilmente. Aun así, en el futuro los transistores GAA reinarán.
Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET sobre su nodo de 3 nm de segunda generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm, un rendimiento un 30% más alto y un área un 35% más comedida. La estructura de los transistores GAA MBCFET es diferente a la de los transistores GAA convencionales, lo que, según Samsung, incrementa la corriente que fluye a través del transistor y requiere un menor voltaje de operación. En la práctica lo que persigue esta empresa es tener los mejores transistores de la industria en 2027, que será, como hemos visto, el año en el que esta innovación llegará a su nodo de 1,4 nm.
Más información | The Korea Economic Daily
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