Las sanciones son un obstáculo para SMIC, aunque tiene otro problema gravísimo: su rendimiento por oblea en 7 nm

  • SMIC está enfrascada en la puesta a punto en Shanghái de varias líneas de fabricación de chips de 5 nm

  • El rendimiento por oblea de sus nodos de 7 nm es dramáticamente inferior al 90% estipulado como estándar

Oblea Ap
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Huawei y SMIC son las mejores bazas de la industria de los semiconductores de China. Estas dos compañías están contribuyendo decisivamente al desarrollo de la tecnología involucrada en la fabricación de los mismos chips de alta integración que las sanciones de EEUU y sus aliados persiguen colocar fuera del alcance de China. En esta coyuntura es comprensible que el Gobierno de Xi Jinping las esté mimando hasta el punto de concederles subvenciones jugosas.

Su mayor hito conjunto desde que las prohibiciones desplegadas por EEUU comenzaron a arreciar el 7 de octubre de 2022 es el diseño y la fabricación del SoC Kirin 9000S de 7 nm para el smartphone Mate 60 Pro de Huawei. Actualmente SMIC está enfrascada en la puesta a punto en Shanghái de varias líneas de fabricación de circuitos integrados con litografía de 5 nm en las que presumiblemente producirá el SoC del próximo teléfono móvil insignia de Huawei, así como chips avanzados para inteligencia artificial.

Según SCMP la Administración china prevé apoyar expresamente a Huawei y SMIC durante 2024 con subvenciones que con toda probabilidad ayudarán a estas dos empresas a sufragar la inversión que requieren las nuevas instalaciones que ambas están poniendo a punto en Shanghái. Y es que no solo SMIC está trabajando en sus líneas de fabricación de 5 nm; Huawei está ampliando su centro de investigación y desarrollo de Qingpu, una localidad situada muy cerca de Shanghái.

El rendimiento por oblea de la litografía de 7 nm de SMIC está en discusión

Aunque os lo hemos contado en otros artículos nos interesa recordar que SMIC está utilizando una técnica conocida como multiple patterning para fabricar chips de 7 nm empleando las máquinas de litografía de ultravioleta profundo (UVP) fabricadas por ASML que están en su poder. Esta estrategia de fabricación de semiconductores consiste en transferir el patrón a la oblea en varias pasadas con el propósito de incrementar la resolución del proceso litográfico. Puede tener un impacto al alza en el coste de los chips y a la baja en la capacidad de producción.

Actualmente el rendimiento por oblea que sostiene SMIC en sus líneas de producción de circuitos integrados de 7 nm es inferior al 50%

De hecho, las fuentes de DigiTimes Asia aseguran que actualmente el rendimiento por oblea que sostiene SMIC en sus líneas de producción de circuitos integrados de 7 nm es inferior al 50%. De ser así es una cifra realmente baja que condiciona drásticamente tanto la capacidad de producción como el precio de estos semiconductores. Lo ideal es que una tecnología de integración consolidada entregue un rendimiento por oblea de al menos el 90%. Este es el estándar de la industria y la cifra a la que aspiran todos los fabricantes de circuitos integrados.

El dinero con el que el Gobierno chino respalda a SMIC está ayudando con toda seguridad a esta empresa a soportar el bajísimo rendimiento de su litografía de 7 nm, pero no debemos pasar por alto que esta compañía ya está refinando su tecnología de integración para producir chips de 5 nm. Para lograrlo recurrirá de nuevo al multiple patterning, y dadas las circunstancias es probable que inicialmente el rendimiento por oblea de esta litografía sea aún más bajo que el que le están entregando sus nodos de 7 nm. Definitivamente SMIC encara un gran desafío y es poco probable que salga airosa a corto plazo dada la envergadura de los refinamientos necesarios para incrementar el rendimiento por oblea.

Imagen | TSMC

Más información | DigiTimes Asia

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