Actualmente TSMC domina el mercado global de los semiconductores con una rotundidad indiscutible. Su cuota de mercado se mueve en la órbita del 54%, y en su envidiable cartera de clientes se codean Apple, NVIDIA, MediaTek, AMD, Qualcomm y muchas otras grandes compañías de tecnología. Este fabricante taiwanés de circuitos integrados ha alcanzado esta hegemonía gracias a sus tecnologías de producción de chips de vanguardia, pero su dominio está a punto de verse amenazado.
Y es que Intel y Samsung están decididas a arrebatarle su liderazgo. Intel planea iniciar la fabricación de semiconductores GAA (Gate-All-Around) de 2 nm en 2024. Estos transistores están llamados a reemplazar a los dispositivos FinFET en las próximas generaciones de circuitos integrados de vanguardia. TSMC prevé iniciar la producción de chips GAA de 2 nm en 2025, y Samsung, que ya está fabricando semiconductores con esta tecnología, planea introducir la producción GAA de 2 nm a gran escala en 2025, y la de 1,4 nm en 2027.
Es evidente que esta compañía surcoreana va a por todas. Y hará lo posible para que Intel no se interponga en su camino. Sobre el papel la tecnología de integración que tiene entre manos es muy competitiva. Y es que Samsung asegura que su tecnología GAA MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) sobre su nodo de 3 nm de segunda generación le permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de sus circuitos integrados de 5 nm, un rendimiento un 30% más alto y un área un 35% más comedida.
La competencia en 2024 y 2025 será más encarnizada que nunca
A mediados del pasado mes de octubre Kye Hyun Kyung, el director general de la división de semiconductores de Samsung, anunció oficialmente que su compañía va a adoptar la litografía de 2 nm lo antes posible en vez de ampliar el alcance de sus nodos de 3 nm. Y hace apenas unos días Jeong Gi-Tae, vicepresidente de la filial de circuitos integrados de Samsung, aseguró que van a incrementar el número de nanosheets (nanoplacas o nanohojas) de sus chips de tres a cuatro cuando inicien la fabricación de semiconductores en su nodo de 1,4 nm.
Samsung planea fabricar de forma masiva chips con su tecnología de integración 3GAP durante la segunda mitad de 2024
No obstante, esto no es todo lo que sabemos. La consultora taiwanesa TrendForce ha desvelado que TSMC y Samsung pretenden iniciar la fabricación a gran escala de chips en sus nodos de 3 nm de segunda generación y 4 nm de cuarta generación durante lo que queda de 2023 y 2024. Además, esta consultora hace hincapié en algo importante: Samsung planea fabricar de forma masiva chips con su tecnología de integración 3GAP durante la segunda mitad de 2024. Eso sí, para lograrlo tiene que encontrar la forma de refinar su tecnología para incrementar su rendimiento por oblea y hacer viable el escalado de la producción.
Los plazos que manejan los tres mayores fabricantes de chips del planeta son muy ambiciosos, y para los usuarios es una buena noticia. Al fin y al cabo la competencia en última instancia debería favorecernos. Aun así es importante que no pasemos por alto que los nanómetros ya no reflejan fielmente la longitud de las puertas lógicas u otro parámetro físico, como la distancia entre los transistores. Cada fabricante de chips los maneja con mucha libertad, lo que a los usuarios nos impide comparar directamente las litografías que intentan "vendernos".
Imagen de portada: TSMC
Más información: TrendForce
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