Un grupo de investigadores del MIT han desarrollado un nuevo compuesto con un nombre más bien complejo -Ni3(HITP)2- que se sitúa como alternativo al grafeno por una característica muy especial llamada bandgap.
Esa característica hace que el material pueda regular cómo fluyen los electrones a través de él. En los transistores de silicio, por ejemplo, la electricidad que fluye a través de ellos puede ser activada y desactivada como si hubiera un grifo. El grafeno no posee esa capacidad, algo que puede comprometer su aplicación en diversos escenarios.
Aunque varios investigadores tratan de proporcionar solución a esa carencia del grafeno, otros grupos de científicos están tratando de crear materiales alternativos que ofrecen dicha opción además de características que también tiene el grafeno.
En el caso del Ni3(HITP)2, la electricidad fluye bien a través de ese compuesto, que dispone de la misma estructura en forma de panal que tiene el grafeno, y que entre otras cosas contribuye a su fortaleza. Además esa estructura se ensambla sola, lo que hace que su fabricación masiva sea más sencilla . El equipo del MIT cree que este compuesto podría ser una buena solución para células solares y ultracondensadores.
Vía | GigaOm
Más información | MIT
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