Samsung está apostando muy fuerte por el mercado de las memorias DRAM. En julio presentó su nueva memoria GDDR6 de 24 Gbps, y en octubre aprovechó la celebración de su evento Tech Day 2022 para dar a conocer sus memorias GDDR7 de 36 Gbps. Eso sí, estas últimas aún tardarán en estar disponibles, por lo que posiblemente llegarán junto a la próxima generación de tarjetas gráficas.
No obstante, esto no es todo. Las memorias DRAM que esta marca ya tiene preparadas, y que presumiblemente empezaremos a ver en algunos dispositivos durante los próximos meses, son las nuevas GDDR6W. Samsung ha confirmado que esta tecnología superó la estandarización JEDEC durante el segundo trimestre de este año, por lo que parece tenerlo todo listo. En cualquier caso, lo que hace atractivas estas memorias es su rendimiento.
GDDR6W llega intimidando a HBM2E
Para que una nueva tecnología de memoria cuaje en el mercado es imprescindible que aporte mejoras sustanciales frente a las memorias a las que pretende reemplazar. Y GDDR6W sobre el papel lo hace. Según Samsung esta DRAM multiplica por dos el rendimiento que nos entrega el estándar GDDR6 y su capacidad, pero, y esto también es muy importante, mantiene el mismo tamaño. Esta última característica permitirá a los integradores que decidan utilizarla, por ejemplo, en sus tarjetas gráficas, mantener intactos los procesos que usan con GDDR6.
Esta tecnología de memoria permite apilar los chips DRAM sin modificar el tamaño del empaquetado
En la recreación que publicamos debajo de este párrafo podemos ver que esta tecnología de memoria permite apilar los chips DRAM sin modificar el tamaño del empaquetado, de manera que un banco de memoria GDDR6W de 32 GB ocupa exactamente lo mismo que una memoria GDDR6 de 16 GB. Suena bien, y es probable que no tengamos que esperar mucho para ver en las tiendas tarjetas gráficas para jugar a 2160p y crear contenidos equipadas con las nuevas memorias GDDR6W de alta capacidad.
Habitualmente el tamaño del empaquetado se incrementa a medida que se apilan más chips, y, aunque esta estrategia permite incrementar la capacidad del banco de memoria, la energía que disipan los chips DRAM en forma de calor limita la cantidad de ellos que es posible apilar. Para evitar que el calor sea un problema Samsung ha recurrido a la tecnología FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), que permite alojar el núcleo de los chips de memoria directamente sobre una oblea de silicio en vez de recurrir a una placa de circuito impreso.
La altura del empaquetado de GDDR6W es de solo 0,7 mm gracias a la tecnología FOWLP, lo que permite recortar claramente la del empaquetado GDDR6 sobre una placa de circuito impreso, que asciende a 1,1 mm. Eso sí, las características térmicas de GDDR6W son las mismas que las de GDDR6, y, además, esta estrategia ha permitido a Samsung duplicar la velocidad de transferencia y el número de operaciones de entrada y salida, que pasan de 32 a 64.
Una última característica de las memorias GDDR6W que merece la pena que no pasemos por alto consiste en que rivalizan con el ancho de banda de las memorias HBM2E. Estas últimas nos entregan 1,6 TB/s llevando a cabo 4.096 operaciones I/O y transmitiendo 3,2 Gbps por pin, mientras que las nuevas memorias GDDR6W alcanzan 1,4 TB/s con solo 512 operaciones I/O y transfiriendo 22 Gbps por pin. Estas cifras van de la mano de otra baza relevante de GDDR6W: sobre el papel es una tecnología de memoria más barata que HBM2E. Y esto también es muy importante.
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