Los planes de Intel a medio plazo son extraordinariamente ambiciosos. Su estrategia pasa por recuperar el terreno perdido después de varios años de incertidumbre durante los que el desarrollo de su tecnología de integración se quedó atascado y sus competidores más aventajados, TSMC y Samsung, desarrollaron nodos litográficos más avanzados. No va a tenerlo fácil, pero, al parecer, está poniendo toda la carne en el asador.
A finales del pasado mes de octubre Pat Gelsinger, el director general de esta compañía, aseguró durante una entrevista con The Wall Street Journal que su estrategia a medio plazo en el ámbito de la industria de los semiconductores pasa por tener los mejores transistores y la tecnología de integración más avanzada del mundo en 2025. Son palabras mayores, especialmente si tenemos en cuenta que TSMC y Samsung ya han iniciado la fabricación de chips de 3 nm.
Actualmente Intel está produciendo sus procesadores más avanzados, los Core de 13ª generación con microarquitectura híbrida Raptor Lake, utilizando su fotolitografía Intel 7 (10 nm), pero su roadmap no deja lugar a dudas acerca de su ambición. Y es que prevé tener preparado el nodo Intel 3 para iniciar la fabricación durante el segundo semestre de este año, así como empezar la producción de chips en el nodo Intel 20A (2 nm) durante la primera mitad de 2024. Y, lo que si cabe es más sorprendente, durante la segunda mitad del próximo año prevé tener listo el nodo litográfico 18A (1,8 nm).
Intel ya ha finalizado el desarrollo de sus fotolitografías de 2 y 1,8 nm
No se trata de una filtración de procedencia desconocida. La persona que ha confirmado esta noticia es, ni más ni menos, Wang Rui, que es la presidenta de la filial de Intel en China. Lo que esta ejecutiva de la compañía ha afirmado es que sus ingenieros ya han completado el desarrollo de sus tecnologías de integración de 2 y 1,8 nm, pero esto no significa que estén preparados para abordar las primeras pruebas de fabricación de chips utilizando estas litografías.
Intel está adoptando una estrategia mucho más ambiciosa y agresiva que la que esgrimía hace tan solo dos años
En teoría lo que han concluido es la puesta a punto de las tecnologías, los materiales, las especificaciones y los requisitos que utilizarán para producir circuitos integrados empleando esos dos nodos litográficos. Es un paso hacia delante muy importante, de eso no cabe duda, pero la producción a gran escala de chips empleando estas tecnologías no tiene necesariamente que estar a la vuelta de la esquina. De hecho, es probable que por el camino los ingenieros de Intel aún deban sortear algunos desafíos.
Aun así, esta noticia confirma lo que hemos expuesto en las primeras líneas de este artículo: Intel está adoptando una estrategia mucho más ambiciosa y agresiva que la que esgrimía hace tan solo dos años. Este giro de timón tiene necesariamente que estar propiciado por el regreso a la compañía de Pat Gelsinger, un veterano ingeniero cuya carrera profesional ha discurrido en gran medida dentro de Intel y que justo antes de volver a esta compañía ejercía el liderazgo de VMWare.
Veremos qué sucede finalmente. Al margen de los planes que tiene Intel no está claro que realmente vaya a conseguir no ya alcanzar a TSMC y Samsung a corto plazo, sino, además, superar a ambas desarrollando unos procesos litográficos más avanzados. Sea como sea de una cosa no cabe duda: a los usuarios nos interesa que estas tres compañías estén en la mejor forma posible.
Si las tres son capaces de poner a punto varias tecnologías de integración muy competitivas, miel sobre hojuelas. Que "se peguen" entre ellas. La competencia estimula la innovación y suele provocar que los precios se moderen, y es evidente que es lo mejor que estas empresas pueden ofrecer a los usuarios. De una cosa no cabe la menor duda: los próximos tres años van a ser muy emocionantes en el ámbito de los semiconductores.
Imagen de portada: Intel
Vía: UDN
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