La crisis de los semiconductores no frena a los fabricantes, que ya planean cómo salir de ella. IBM y Samsung han anunciado una de sus tecnologías más ambiciosas en coalición en materia de transistores. VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) es el nombre que recibe su forma conjunta de diseñar transistores apilándolos en vertical y perpendiculares a la oblea de silicio, para superar las actuales limitaciones de los diseños FinFET.
En plena carrera por miniaturizar los transistores, esta nueva aproximación en el diseño de los transistores promete ser uno de los mayores avances en eficiencia, permitiendo importantes mejoras en ámbitos como el de la telefonía, informática e incluso industria aerospacial.
VTFET, la nueva tecnología de IMB y Samsung
A la derecha, diseño VTFET. A la izquierda, diseño convencional FET.
VTFET es la forma de IBM de llamar a su nueva forma de agrupar los transistores de un chip. A más transistores, más capacidad de cálculo, por lo que aumentar cada año la capacidad en tamaños cada vez más pequeños es la gran carrera actual.
"VTFET coloca transistores perpendiculares a la oblea de silicio y dirige el flujo de corriente verticalmente a la superficie de la oblea. Este nuevo enfoque aborda las barreras de escalado al relajar las restricciones físicas para que estas características se puedan optimizar; ya sea para el rendimiento o el consumo de energía. IBM.
Según IBM, este desarrollo abre las puertas a seguir mejorando los chips más allá de los propios procesos de crearlos a nanoescala. Esta solución, según indican puede suponer un aumento en rendimiento, flujo de energía y pérdida de la misma: en otras palabras, ser mucho más eficiente con una distribución distinta (hasta un 85% de ahorro energético).
La promesa de IBM y Samsung es ambiciosa, y es que afirman que con esta tecnología se abre la puerta a teléfonos que puedan mantener la carga durante una semana, mejoras en el vehículo autónomo e incluso aplicaciones a naves espaciales.
Esta tecnología ya se está empezando a emplear en sus primeros chips de 2 nanómetros, los cuales cuentan con 50.000 millones de transistores en este diminuto tamaño. Este chip ya promete una mejora en eficiencia de un 75%, y se espera que la distribución vertical de transistores se aplique a más soluciones de IBM y Samsung.
Más información | IBM
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