Hubo un momento en el que se sabía si tu procesador era más potente que el anterior por los megahercios o gigahercios de velocidad que tenía. Poco a poco, ese baremo fue cambiando y empezamos a hablar de los nanómetros: cuanto menor era el número, más avanzado era el chip.
Pat Gelsinger, CEO de Intel, quiere que dejemos de hablar de nanómetros y lo hagamos de Angstrom y ha desvelado un calendario para acostumbrarnos a esta nueva denominación.
Cinco próximas generaciones
A principios de este año, el CEO Pat Gelsinger anunció la nueva estrategia IDM 2.0 de Intel.
El objetivo era continuar trabajando en el desarrollo de la tecnología de nodos de proceso de Intel, yendo más allá de los diseños actuales de 10 nm en producción en la actualidad. Además, la compañía se abría a fabricar para terceros y licenciar sus productos para recuperar su posición en el mercado.
Aunque Intel asegura que está ya produciendo más obleas de 10 nm en un día que de 14 nm, la compañía ha tenido dificultades para hacer la transición a los 10 nm, mientras que otros competidores, como TSMC, parecen tener asentados estos modelos de farbricación.
Intel cambia el nombre de los nodos
En la publicación de su calendario para los próximos años, Intel está cambiando también algunas denominaciones.
La compañía asegura que existe cierta confusión y que su "Intel 10nm" es equivalente a "TSMC 7nm". Por eso, Intel está cambiando el nombre de sus futuros nodos de proceso.
El nuevo esquema de nombres significa que los que habrían sido los chips de 10 nm de tercera generación de Intel ahora se llamarán "Intel 7". Aunque a primera vista podría parecer una forma para que Intel posicione sus próximos chips de 10 nanómetros como más competitivos junto a los productos de 7 nm de sus rivales, algunos analistas aseguran que esta denominación es más real comparándola con sus competidores.
Próximos lanzamientos
La tecnología de generación actual en uso es Tiger Lake, conocida como Intel 10nm SuperFin (10SF). Según el calendario dado a conocer por Intel, estos serán los próximos lanzamientos de productos y las fechas previstas:
- Intel 7, segunda mitad de 2021: anteriormente conocido como 10nm Enhanced Super Fin o 10ESF. Alder Lake y Sapphire Rapids ahora se conocerán como productos Intel 7nm, mostrando un rendimiento del 10-15% por vatio superior sobre 10SF debido a las optimizaciones de transistores. Alder Lake se encuentra actualmente en producción en volumen. El Xe-HP de Intel ahora se conocerá como un producto Intel 7.
- Intel 4, segunda mitad de 2022: anteriormente conocido como Intel 7nm. Intel declaró a principios de este año que su procesador Meteor Lake utilizará esta tecnología de nodo de proceso. Intel espera un rendimiento del 20% por vatio superior sobre la generación anterior. El próximo producto escalable Xeon de Intel, Granite Rapids, también utilizará un mosaico informático basado en Intel 4.
- Intel 3, segunda mitad de 2023 H2: anteriormente conocido como Intel 7+. Aquí es donde la estrategia de Intel se vuelve más modular: Intel 3 compartirá algunas características de Intel 4, pero será lo suficientemente nuevo como para describir este nuevo nodo completo, en particular nuevas bibliotecas de alto rendimiento. Intel espera un rendimiento del 18% por vatio superior sobre Intel 4.
- Intel 20ª, 2024: anteriormente conocido como Intel 5nm. Pasando a la denominación de dos dígitos, con la A para Ångström. Se han dado a conocer pocos detalles, pero aquí es donde Intel pasará de los FinFET a su versión de transistores Gate-All-Around (GAA) llamados RibbonFET. También Intel presentará una nueva tecnología PowerVia.
- Intel 18ª, 2025: Intel espera tener un proceso 18A en 2025. 18A utilizará unas máquinas que son capaces de realizar fotolitografías más precisas. Es aquí donde Intel espera tener un liderazgo incuestionable.
Intel ha confirmado que Intel 3 e Intel 20A se ofrecerán a los clientes de fundición (pero no ha indicado si se ofrecerán Intel 4 o Intel 7).
Qué son los Ångström
Los Ångstroms son unidades de medida más pequeñas que los nanómetros. Se dice que 20Å es igual a 2 nm o 10A es igual a 1 nm. El primer chip que se medirá en Ångstroms será el Intel 20A, con una arquitectura completamente nueva llamada RibbonFET.
Es una tecnología de transistores fundamentalmente nueva que permitirá una mayor densidad y tamaños más pequeños, según Gelsinger. También incorporará una nueva tecnología “PowerVia” que hace posible que las obleas de silicio se alimenten desde la parte posterior del chip, en lugar de enrutarlas hacia el frente.
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